обратное смещение что это

 

 

 

 

reverse bias обратное смещение — [Л.Г.Суменко. Англо русский словарь по информационным технологиям. М.: ГП ЦНИИС, 2003.] Тематики информационные технологии в целом EN reverse bias. Обратное смещение. IПри обратном смещении напряжение прикладывается к устройтсву так, что электрическое поле в переходе увеличивается. обратное смещение. atvirktinis prietampis statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. back bias reverse bias vok. Sperrvorspannung, f Vorspannung in Sperrichtung, f rus. напряжение обратного смещения, n обратное смещение, n pranc. polarisation inverse, f tension de n и p квазиуровни Ферми для неравновесного состояния. Энергетическая диаграмма p-n перехода при прямом смещении.

Ток I0 называется тепловым током или обратным током насыщения. Измерение напряжения в схеме с диодом: (a) Прямое смещение. (b) Обратное смещение. Прямосмещённый диод проводит ток, а следовательно падение напряжение на нём будет небольшим, наибольшее падение напряжения произойдёт на лампе. Очевидно и обратное положение: если всем составляющим спектра функции дать фазовый сдвиг линейно-связанный с частотой , то3. смещение спектра сигнала. Применим (2.48) к произведению. Первый интеграл в правой части есть не что иное, как спектральная Так как приемник неизменяющегося тока является разомкнутой цепью по переменному току, он вызывает 100 отрицательную обратную связь в несимметричном каскаде, но он является непревзойденным для смещении дифференциальной пары. Обратное смещение pn перехода. Смещенеим называется подача на преход постоянного напряжения.

Обратный ток насыщения существенно зависти от температуры.в случае обратного смещения потенциальный барьер увеличивается. Если на управляющий электрод (базу) подаётся отпирающее напряжение или ток, этот режим называется с прямым смещением. Если запирающее - с обратным. Такое подключение напряжения к p-n-переходу называется обратным смещением (или запорным смещением), а протекающий при этом через переход суммарный ток, который определяется в основном тепловой или фотонной генерацией пар электрон-дырка Если диод смещен в обратном направлении, то протекает только ток утечки собственного полупроводника.Обратное смещение P-N перехода почти не создает ток. Прикладываемое обратное смещение оттягивает основных носителей заряда от перехода. Такое смещение p-n перехода называется обратным. Очевидно, что это приводит к уменьшению диффузионной составляющей тока через p-n переход и увеличению дрейфового тока. При обратном смещении р-n-перехода возрастают по сравнению с равновесными значениями разность потенциалов, высота и ширина потенциального барьера. (6). а также на EF qeU смещается «вниз» на зонной диаграмме уровень Ферми EFп относительно уровня Ферми EFp . Есть два пути, по которым мы можем сместить диод p-n перехода. 1) Прямое смещение и 2) Обратное смещение Основное различие между прямым смещением и обратным смещением в направлении подачи внешнего напряжения. URL обратной ссылки. Подробнее про обратные ссылки.транзистор может усиливать и переменный ток, но для этого на него надо подать постоянное напряжение смещения. (вроде так звучит). Таким образом, обратное напряжение смещения ограничивает поток основных носителей настолько, что диффузионный ток не может компенсировать ток проводимости. смещение, что такое смещение, смещение это, значение смещение, Т.Ф. Ефремова Новый словарь русского языка.1) Процесс действия по знач. глаг.: смещать (1,3), сместить. Это значит, что включение катодного резистора приводит к возникновению отрицательной обратной связи по току. Этот метод автоматического смещения имеет наименьшую чувствительность к разбросу между лампами, что делает его наиболее популярным. При приложении условно отрицательной разности потенциалов происходит обратное смещение перехода, при котором он запирается.Активный режим. В активном режиме эмиттерный переход смещается в прямом направлении до момента отпирания (начала протекания тока) Это явление связано с так называемым обратным смещением. Чтобы понять, что это такое, обратимся к рис. 4При этом диод оказывается прямо смещенным и через него протекает в нагрузку ток в обход неисправного элемента. Например, сместить переход можно наложением на кристалл внешнего электрического поля.Рис. 5. P-n переход в равновесном состоянии (а) и в режимах прямого (б) и обратного (в) смещений. Обратное смещение - это смещение, при котором минус источника внешнего напряжения прикладывается р- области, а плюс - к n -области. Схема обратного смещения р-n переход Из нее видно, что в переходе действуют два электрических поля: Ек и Eобр. Обратное смещение. Потенциальный барьер увеличивается. Запирающий слой расширяется, Uпр jкUобр. Носители заряда идут от перехода, сопротивление перехода увеличивается. Диффузионный ток уменьшается. Еще одно предостережение относится в особенности к дифференциальным усилителям без эмиттерных резисторов: биполярные транзисторы могут выдержать обратное смещение на переходе база-эмиттер величиной не более 6 В. Затем наступает пробой значит Полупроводниковые диоды. Цель 1. Исследование напряжения и тока диода при прямом и обратном смещении р-п перехода.4. Анализ сопротивления диода (прямое и обратное смещение) на переменном и постоянном токе. Прямое (слева) и обратное (справа) смещение структуры металл-полупроводник.Рассмотрим обратное смещение это означает в нашем случае что к полупроводнику приложен плюс батареи а к металлу минус. Отсюда можно сделать вывод, что этот вид смещения, зависящего от , подвержен изменениям в операционном усилителеСмещение при обратной связи с коллектором. На данной схеме базовый резистор RB подсоединён через коллектор и базовые выводы транзистора. Амплитуда колебаний — это максимальное значение величины (для механических колебаний это смещение), которая совершает колебания.Декремент затухания — величина, обратная числу колебаний, по истечении которых амплитуда убывает в: е раз е 2,71828). Обратное смещение p-n-перехода.Обратный ток, создаваемый неосновными носителями заряда, зависит от их концентраций в p- и n-слоях, а так же от рабочей поверхности p-n-перехода. Когда на P-N переходе создается обратное смещение, то имеет место максимальное сопротивление протеканию тока, а данный переход действует в основном как разомкнутая цепь. Напряженность результирующего поля падает, и уровни Ферми смещаются таким образом, что потенциальный барьер уменьшаетсяРисунок 1.9 Обратное включение p-n перехода. величину Uобр и увеличению относительного смещения энергетических диаграмм на q(Uk Uобр). Сдвигами (strike slip) называются субвертикальные разрывы, смещения по которым происходят в горизонтальном направлении (рис. 3.1).Для левостороннего сдвига картина поменяется на обратную, как в зеркальном изображении. 7.6.2. ПРОЦЕССЫ В НЕРАВНОВЕСНОМ p-n ПЕРЕХОДЕ. 7.6.2.1. ОБРАТНОЕ СМЕЩЕНИЕ.Следовательно, в обратно смещённом p-n переходе высота потенциального барьера увеличится на , где - абсолютная величина смещения, и будет равной . смещение - -я, ср. Действие по знач. глаг. сместить—смещать действие и состояние по знач. глаг. сместиться—смещаться.смещение, что такое смещение, смещение это, значение смещение, Малый академический словарь русского языка. 2.5 Обратное смещение p-n перехода. Экстракция.При обратном смещении также наблюдается резкая несимметрия тока. 2.7 ВАХ идеализированного p-n перехода. Переход, смещенный в обратном направлении. Если к электронно-дырочному переходу приложено обратное напряжениеИзменение полярности приложенного напряжения приводит к смещению -перехода в обратном направлении и его сопротивление возрастает. При обратном смещении (рис. 6, в) потенциальный барьер возрастает на величину U: . (1.

16). Подставляя значение в формулу (1.14) получаем для неравновесной ширины p-n-перехода l следующее соотношение этом диапазон рассмотренных напряжений смещения со-ставил от 2.4 В (прямое смещение) до 4 В (обратное смещение), что соответствовало прохождению границы ОПЗ от положения между квантовыми ямами до нижней границы буферного слоя. Что это такое и как его можно избежать?Но если обратный ток научиться контролировать, его можно использовать как способ регулировать смещение дуги, который особенно хорошо подходит для автоматических процессов сварки. Означает ли это, что вы никак не сможете определить смещение чтения?[На практике чаще все-таки обратное: модели одной фирмы-производителя даже при разных скоростных характеристиках имеют одно и то же смещение. Обратное смещение. Рассмотрим теперь режим обратного смещения.Таким образом, эквивалентная схема p-i-n структуры (рис. 12.5) справедлива как при прямом, так и при обратном смещении, если считать, что сопротивление R зависит от напряжения смещения. Такой переход системы из одного равновесного состояния в другое равновесное состояние называют смещением (сдвигом) химического равновесия.c(реагента) равновесие смещается в сторону обратной реакции (влево). Вот давайте и разберёмся, что это чудо из себя представляет, как работает и чем вызвана такая широта его применения.На каждом из двух pn-переходов может быть прямое или обратное смещение, поэтому в работе транзистора выделяют четыре основных режима, в зависимости Прямое и обратное смещение p-n-перехода. Рассмотрим явления, происходящие в диоде, к которому приложена разность потенциалов от внешнего источника напряжения. В результате переход эмиттер - база транзистора VT оказывается смещенным в обратном направлении - потенциал эмиттера ниже потенциала базы на напряжение диода. Обратное смещение перехода прерывает протекание тока в цепи базы транзистора и переводит его в К p-n переходу приложено внешнее напряжение плюсом к p-области (рис 10). Такое включение называется прямым смещением p-n перехода.Рис. 11. Обратное включение p-n перехода: а схема б энергетическая диаграмма. Обратное смещение pn-перехода. Смещением перехода называется приложение к нему напряжения внешнего источника.Обратное смещение pn-перехода . Обратная ветвь вольт-амперной характеристики (ВАХ) перехода. Красное смещение Гравитационное красное смещение Электрическое смещение Закон смещения Вина Смещение оценки Смещение (геометрия)СМЕЩЕНИЕ, -я, ср. Действие по знач. глаг. сместить—смещать действие и состояние по знач. глаг. сместиться—смещаться.напряжения (оно влияет только на их скорость), то при увеличении обратного напряжения ток через переход стремиться к предельному значениюЦепи смещения транзисторных каскадов. Усилительные каскады и устройства. Стабилизаторы и источники опорного напряжения. Приложенное в обратном направлении напряжение смещения увеличивает потенциальный барьер.На рисунке. показано включение диода, смещенного в обратном направлении. Отрицательный вывод источника тока подсоединен к аноду.

Новое на сайте: